IAUCN04S7N012ATMA1 vs IAUC60N04S6N031HATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IAUCN04S7N012ATMA1 от Infineon и IAUC60N04S6N031HATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IAUCN04S7N012ATMA1 IAUCN04S7N012ATMA1 - 40V 1.2mΩ 120A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N012ATMA1 - 40V 1.2mΩ 120A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N012ATMA1 ✓ Активен
Infineon
IAUC60N04S6N031HATMA1 IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IAUCN04S7N012ATMA1 IAUC60N04S6N031HATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,18 $0,95
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS-7 (trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.2 mΩ —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS absolute max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Диапазон рабочих температур -55 °C to +175 °C [DATA_NEEDED: junction temperature max from datasheet] -55 °C to +175 °C (Tj)
Корпус PG-TDSON-8-34 (8-PowerTDFN) PG-TDSON-8-56 (5 mm x 6 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Transistor Grade Automotive (AEC-Q101) —
Рассеиваемая мощность (Ptot) [DATA_NEEDED: Ptot at TC=25°C] —
Thermal Resistance RθJA [DATA_NEEDED: RθJA on JEDEC PCB] —
Статус RoHS Compliant Compliant
Без галогенов Yes —
Уровень MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Polarity N-Channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — IAUC (Integrated Automotive Half-Bridge)
Process Technology — OptiMOS 6 40V
Configuration — Half-Bridge (2 N-Channel MOSFETs)
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tj) — 60 A
Power Dissipation (P_D, Tc=25C) — 75 W
R_DS(on) at VGS=10V — 3.1 mΩ
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max rating]
Число выводов — 8
Automotive Qualification — AEC-Q101

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену