IAUCN04S7N056DATMA1 vs IAUC120N04S6N010ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IAUCN04S7N056DATMA1 от Infineon и IAUC120N04S6N010ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IAUCN04S7N056DATMA1 IAUCN04S7N056DATMA1 - 40V N-Channel MOSFET 5.6mΩ | Infineon

IAUCN04S7N056DATMA1 - 40V N-Channel MOSFET 5.6mΩ | Infineon

IAUCN04S7N056DATMA1 ✓ Активен
Infineon
IAUC120N04S6N010ATMA1 IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IAUCN04S7N056DATMA1 IAUC120N04S6N010ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,68 $0,68
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IAUCN04S7N056DATMA1 —
Series OptiMOS 5 40V —
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) 60 A (Tj) —
RDS(on) (typ) 5.59 mΩ —
Power Dissipation (Pd) 41 W (Tc) —
Диапазон рабочих температур -55°C to +175°C -55 °C to +175 °C (TJ, per Infineon OptiMOS 6 family)
Корпус PG-TDSON-8-61 (TDSON EP, 5x6 mm) PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET OptiMOS 6
Статус RoHS Compliant Compliant
Packaging Type Tape & Reel —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (Id, Tc) — 150 A
Power Dissipation (Pd, Tc) — 150 W
RDS(on) at VGS=10V (typ) — 1.0 mΩ
RDS(on) at VGS=10V (max per LCSC excerpt) — 1.03 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th), typ) — 3 V (at 90 µA)
Уровень MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon TDSON family)
Gate Drive Recommendation — 10 V VGS for full RDS(on) spec
Polarity — Single N-channel

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену