IAUZ20N08S5L300ATMA1 vs IAUC64N08S5L075ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IAUZ20N08S5L300ATMA1 от Infineon и IAUC64N08S5L075ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IAUZ20N08S5L300ATMA1 - 80V 20A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUZ20N08S5L300ATMA1 ✓ АктивенInfineon
IAUC64N08S5L075ATMA1 - 80V 7.5mΩ OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon
IAUC64N08S5L075ATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IAUZ20N08S5L300ATMA1 | IAUC64N08S5L075ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,81 | $0,58 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-5 | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) | 20 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (Pd) | 30 W (Tc) | — |
| On-State Resistance (Rds(on)) | 30 mΩ @ 10 A, 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | ±20 V (max Vgs rating) | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 599 pF @ 40 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 10.5 nC @ 10 V | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Рабочая температура перехода | -55°C to +175°C | -55 °C to +175 °C |
| Корпус | PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3 x 3.3 mm | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 (automotive) | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS-5) | OptiMOS™ 5 |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Part Number | — | IAUC64N08S5L075ATMA1 |
| Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 64 A (TJ-limited) |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 7.5 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute maximum] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 75 W |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| Уровень MSL | — | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Количество выводов | — | 8 |