IAUZ20N08S5L300ATMA1 vs IAUC64N08S5L075ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUZ20N08S5L300ATMA1 par Infineon et IAUC64N08S5L075ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUZ20N08S5L300ATMA1 - 80V 20A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUZ20N08S5L300ATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUC64N08S5L075ATMA1 - 80V 7.5mΩ OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon
IAUC64N08S5L075ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUZ20N08S5L300ATMA1 | IAUC64N08S5L075ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,81 | $0,58 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-5 | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) | 20 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (Pd) | 30 W (Tc) | — |
| On-State Resistance (Rds(on)) | 30 mΩ @ 10 A, 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | ±20 V (max Vgs rating) | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 599 pF @ 40 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 10.5 nC @ 10 V | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Température de jonction en fonctionnement | -55°C to +175°C | -55 °C to +175 °C |
| Boîtier | PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3 x 3.3 mm | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 (automotive) | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS-5) | OptiMOS™ 5 |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Part Number | — | IAUC64N08S5L075ATMA1 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 64 A (TJ-limited) |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 7.5 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute maximum] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 75 W |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| Niveau MSL | — | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Nombre de broches | — | 8 |