IPB031N08N5ATMA1 vs IPB020N08N5ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPB031N08N5ATMA1 от Infineon и IPB020N08N5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IPB031N08N5ATMA1 - 80V 120A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB031N08N5ATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IPB031N08N5ATMA1 | IPB020N08N5ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,62 | $1,45 |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 120 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (PD) Max | 167 W (Tc) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) Max | 3.1 mOhm (VGS=10V) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Диапазон рабочих температур | -55 C to +175 C | — |
| Корпус | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO263-3 (D2PAK-2) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Число выводов | 3 (Gate, Drain, Source + Tab) | — |
| Tab Connection | Drain (electrically connected to pin) | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Automotive Qualified | Yes (per Arrow listing) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 120 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 480 A |
| Maximum RDS(on) at VGS=10V | — | 2.0 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/- 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 300 W |
| Рабочая температура перехода | — | -55C to +175C |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | — | [DATA_NEEDED: RthJC value, approx 0.5 C/W] |
| Avalanche Energy Rated (EAS) | — | [DATA_NEEDED: EAS value] |
| Configuration | — | Single N-channel, 3-pin (2+Tab) |