IPB031N08N5ATMA1 vs IPB020N08N5ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPB031N08N5ATMA1 제조: Infineon 및 IPB020N08N5ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPB031N08N5ATMA1 | IPB020N08N5ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.62 | $1.45 |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 120 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (PD) Max | 167 W (Tc) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) Max | 3.1 mOhm (VGS=10V) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| 동작 온도 범위 | -55 C to +175 C | — |
| 패키지 | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO263-3 (D2PAK-2) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 핀 수 | 3 (Gate, Drain, Source + Tab) | — |
| Tab Connection | Drain (electrically connected to pin) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Automotive Qualified | Yes (per Arrow listing) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 120 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 480 A |
| Maximum RDS(on) at VGS=10V | — | 2.0 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/- 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 300 W |
| 동작 접합 온도 | — | -55C to +175C |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | — | [DATA_NEEDED: RthJC value, approx 0.5 C/W] |
| Avalanche Energy Rated (EAS) | — | [DATA_NEEDED: EAS value] |
| Configuration | — | Single N-channel, 3-pin (2+Tab) |