IPD028N06NF2SATMA1 vs IPC50N04S5L5R5ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPD028N06NF2SATMA1 от Infineon и IPC50N04S5L5R5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IPD028N06NF2SATMA1 - 60V 139A 2.85mΩ OptiMOS N-MOSFET | Infineon
IPD028N06NF2SATMA1 ✓ АктивенInfineon
IPC50N04S5L5R5ATMA1 - 40V 50A 5.5mΩ OptiMOS Auto MOSFET | Infineon
IPC50N04S5L5R5ATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IPD028N06NF2SATMA1 | IPC50N04S5L5R5ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,62 | $0,36 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPD028N06NF2SATMA1 | — |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology Family | OptiMOS 5 60V | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 24 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 139 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | 2.85 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | — |
| Power Dissipation at TA=25°C | 3 W | — |
| Power Dissipation at TC=25°C | 150 W | — |
| Диапазон рабочей температуры перехода | -55 C to +175 C | — |
| Корпус | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Число выводов | 3 (Gate, Drain-tab, Source) | — |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Уровень MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Packing | Tape & Reel (T&R) | — |
| Mode | — | Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 50 A |
| Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) | — | 60 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V | — | 5.5 mΩ |
| Gate Threshold VGS(th) | — | Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS) |
| Power Dissipation (Tc) | — | 42 W |
| Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC | — | 3.6 K/W |
| Диапазон рабочих температур | — | -55 °C to +175 °C |
| AEC-Q101 Qualification | — | Qualified (automotive grade) |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | MSL1 |
| Peak Reflow Temperature | — | 260 °C |
| Avalanche Rating | — | 100 % Avalanche Tested |
| RoHS / REACH | — | RoHS Compliant (Green Product) |