IPD046N08N5ATMA1 vs IAUC60N06S5L073ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPD046N08N5ATMA1 от Infineon и IAUC60N06S5L073ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IPD046N08N5ATMA1 | IAUC60N06S5L073ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,78 | $0,41 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS™ 5 80V | — |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 90 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 4.6 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 125 W | — |
| Диапазон рабочей температуры перехода | -55 °C to +175 °C | — |
| Корпус / Типоразмер | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ 5 trench MOSFET | Trench (OptiMOS 5) |
| Статус RoHS | ROHS3 Compliant | Compliant |
| Уровень MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Configuration | Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) | Single N-Channel |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 60 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.3 mΩ |
| Total Gate Charge (QG) | — | 17.4 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 52 W |
| Корпус | — | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) |
| Диапазон рабочих температур | — | -55C to +175C |
| Количество выводов | — | 8 |
| Qualification | — | AEC-Q101 automotive grade |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Thermal Resistance RθJA | — | [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-ambient] |