IPD046N08N5ATMA1 vs IAUC60N06S5L073ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD046N08N5ATMA1 por Infineon y IAUC60N06S5L073ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IAUC60N06S5L073ATMA1 IAUC60N06S5L073ATMA1 - 60V 60A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC60N06S5L073ATMA1 - 60V 60A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC60N06S5L073ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD046N08N5ATMA1 IAUC60N06S5L073ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,78 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS™ 5 80V —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 90 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 4.6 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 125 W —
Rango de temperatura de unión de funcionamiento -55 °C to +175 °C —
Encapsulado / Carcasa PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ 5 trench MOSFET Trench (OptiMOS 5)
Estado RoHS ROHS3 Compliant Compliant
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
Configuration Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) Single N-Channel
Series — OptiMOS 5
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 60 A
On-Resistance RDS(on) max — 7.3 mΩ
Total Gate Charge (QG) — 17.4 nC
Power Dissipation (PD) at Tc — 52 W
Encapsulado — PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +175C
Número de pines — 8
Qualification — AEC-Q101 automotive grade
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Thermal Resistance RθJA — [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-ambient]

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