IPD052N10NF2SATMA1 vs BSC050N04LSGATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPD052N10NF2SATMA1 от Infineon и BSC050N04LSGATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPD052N10NF2SATMA1 IPD052N10NF2SATMA1 - 100V N-Ch MOSFET 5.2mΩ 118A | Infineon

IPD052N10NF2SATMA1 - 100V N-Ch MOSFET 5.2mΩ 118A | Infineon

IPD052N10NF2SATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPD052N10NF2SATMA1 BSC050N04LSGATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,55 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD052N10NF2SATMA1 —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 5 100V OptiMOS 3 (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 17 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 118 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 150 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max 5.2 mΩ @ VGS=10V, ID=70A —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) Max 3.8 V @ ID=84µA —
Корпус / Типоразмер PG-TO252-3 (DPAK, SC-63) —
Supplier Device Package PG-TO252-3 —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Рабочая температура -55 °C to +175 °C (TJ) —
Статус RoHS Compliant Compliant
Number of Channels 1 —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) — 18 A
Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) — 85 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 57 W
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Корпус — PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm)
Диапазон рабочих температур — -55C to +150C
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse avalanche)
Уровень MSL — 1

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену