IPD90N04S403ATMA1 vs IPD50N04S408ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPD90N04S403ATMA1 от Infineon и IPD50N04S408ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPD90N04S403ATMA1 IPD90N04S403ATMA1 - 40V 90A N-Ch OptiMOS-T2 MOSFET | Infineon

IPD90N04S403ATMA1 - 40V 90A N-Ch OptiMOS-T2 MOSFET | Infineon

IPD90N04S403ATMA1 ✓ Активен
Infineon
IPD50N04S408ATMA1 IPD50N04S408ATMA1 - 40V 50A N-Ch OptiMOS-T2 MOSFET | Infineon

IPD50N04S408ATMA1 - 40V 50A N-Ch OptiMOS-T2 MOSFET | Infineon

IPD50N04S408ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPD90N04S403ATMA1 IPD50N04S408ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,05 $0,69
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-T2 OptiMOS-T2
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 90 A —
On-State Resistance (R_DS(on)) 3.2 mOhm typical at V_GS = 10 V —
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) 94 W —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Корпус PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO252-3-313 (DPAK)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Рабочая температура перехода -55C to +175C —
Уровень MSL MSL1 (peak reflow up to 260C) MSL1 (260 °C peak reflow)
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
Avalanche Tested 100% avalanche-tested 100 % Avalanche tested
RoHS Compliance Compliant (Green Package) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS-T2) —
Polarity — N-Channel
Mode — Enhancement-mode
Drain-Source Voltage (V DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I D, Tc) — 50 A
Power Dissipation (P D, Tc) — 46 W
Диапазон рабочих температур — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101
Green Package (RoHS) — RoHS compliant
Gate Threshold Voltage (V GS(th)) — [DATA_NEEDED: V GS(th) typical]
On-State Resistance (R DS(on)) — [DATA_NEEDED: R DS(on) at V GS = 10 V]
Total Gate Charge (Q G) — [DATA_NEEDED: Q G typical]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену