IPD90N04S403ATMA1 vs IPD50N04S408ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPD90N04S403ATMA1 제조: Infineon 및 IPD50N04S408ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IPD90N04S403ATMA1 IPD50N04S408ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.05 $0.69
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-T2 OptiMOS-T2
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 90 A —
On-State Resistance (R_DS(on)) 3.2 mOhm typical at V_GS = 10 V —
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) 94 W —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
패키지 PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO252-3-313 (DPAK)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 접합 온도 -55C to +175C —
MSL 레벨 MSL1 (peak reflow up to 260C) MSL1 (260 °C peak reflow)
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
Avalanche Tested 100% avalanche-tested 100 % Avalanche tested
RoHS Compliance Compliant (Green Package) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS-T2) —
Polarity — N-Channel
Mode — Enhancement-mode
Drain-Source Voltage (V DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I D, Tc) — 50 A
Power Dissipation (P D, Tc) — 46 W
동작 온도 범위 — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101
Green Package (RoHS) — RoHS compliant
Gate Threshold Voltage (V GS(th)) — [DATA_NEEDED: V GS(th) typical]
On-State Resistance (R DS(on)) — [DATA_NEEDED: R DS(on) at V GS = 10 V]
Total Gate Charge (Q G) — [DATA_NEEDED: Q G typical]

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