IPD90P04P4L04ATMA2 vs IPD30N06S2L13ATMA4 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPD90P04P4L04ATMA2 от Infineon и IPD30N06S2L13ATMA4 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPD90P04P4L04ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2 - -40V P-Ch 90A 4.3mOhm OptiMOS | Infineon

IPD90P04P4L04ATMA2 - -40V P-Ch 90A 4.3mOhm OptiMOS | Infineon

IPD90P04P4L04ATMA2 ✓ Активен
Infineon
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 - 55V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N06S2L13ATMA4 - 55V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N06S2L13ATMA4 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPD90P04P4L04ATMA2 IPD30N06S2L13ATMA4
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,22 $0,48
Part Number IPD90P04P4L04ATMA2 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Family OptiMOS-P2 —
Channel Type P-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) -40 V 55 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C -90 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 125 W —
On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V 4.3 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Диапазон рабочих температур -55 C to +175 C —
Корпус PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Количество выводов 3 (2 + Tab) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
Статус RoHS Compliant —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Part Family — OptiMOS
Mode — Enhancement
Continuous Drain Current (Id) — 30 A (Tc)
Power Dissipation (Pd) — 136 W (Tc)
Рабочая температура — -55 °C to +175 °C (Tj)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow)
Lead-Free / RoHS — Yes (Green Package)
Avalanche Tested — 100 % production-tested
Technology — Planar (OptiMOS)
On-State Resistance (Rds(on)) — [DATA_NEEDED: exact typ/max Rds(on) at Vgs=10V and at Vgs=4.5V]
Gate-Source Threshold (Vgs(th)) — Logic-level (typ [DATA_NEEDED: Vth typ/min/max])
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg @ Vgs=10V, Id=30A]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typ at Vds=25V]
Diode Reverse Recovery (trr) — [DATA_NEEDED: trr typ]
Число выводов — 3 (Drain tab + Gate + Source)
Tape and Reel Packaging — Yes (T&R per IEC 60286-3)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену