IPD90P04P4L04ATMA2 vs IPD30N06S2L13ATMA4 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPD90P04P4L04ATMA2 제조: Infineon 및 IPD30N06S2L13ATMA4 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IPD90P04P4L04ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2 - -40V P-Ch 90A 4.3mOhm OptiMOS | Infineon

IPD90P04P4L04ATMA2 - -40V P-Ch 90A 4.3mOhm OptiMOS | Infineon

IPD90P04P4L04ATMA2 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IPD90P04P4L04ATMA2 IPD30N06S2L13ATMA4
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.22 $0.48
Part Number IPD90P04P4L04ATMA2 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Family OptiMOS-P2 —
Channel Type P-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) -40 V 55 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C -90 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 125 W —
On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V 4.3 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Maximum Junction Temperature 175 C —
동작 온도 범위 -55 C to +175 C —
패키지 PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO252-3-11 (DPAK)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 3 (2 + Tab) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
RoHS 상태 Compliant —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Part Family — OptiMOS
Mode — Enhancement
Continuous Drain Current (Id) — 30 A (Tc)
Power Dissipation (Pd) — 136 W (Tc)
동작 온도 — -55 °C to +175 °C (Tj)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow)
Lead-Free / RoHS — Yes (Green Package)
Avalanche Tested — 100 % production-tested
Technology — Planar (OptiMOS)
On-State Resistance (Rds(on)) — [DATA_NEEDED: exact typ/max Rds(on) at Vgs=10V and at Vgs=4.5V]
Gate-Source Threshold (Vgs(th)) — Logic-level (typ [DATA_NEEDED: Vth typ/min/max])
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg @ Vgs=10V, Id=30A]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typ at Vds=25V]
Diode Reverse Recovery (trr) — [DATA_NEEDED: trr typ]
핀 수 — 3 (Drain tab + Gate + Source)
Tape and Reel Packaging — Yes (T&R per IEC 60286-3)

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