IPL65R070C7AUMA1 vs IPD60R280P7SAUMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPL65R070C7AUMA1 от Infineon и IPD60R280P7SAUMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPL65R070C7AUMA1 IPL65R070C7AUMA1 - 650V 70mΩ CoolMOS C7 MOSFET | Infineon

IPL65R070C7AUMA1 - 650V 70mΩ CoolMOS C7 MOSFET | Infineon

IPL65R070C7AUMA1 ✓ Активен
Infineon
IPD60R280P7SAUMA1 IPD60R280P7SAUMA1 - 600V 280mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R280P7SAUMA1 - 600V 280mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R280P7SAUMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPL65R070C7AUMA1 IPD60R280P7SAUMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,68 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS C7 CoolMOS P7 (7th generation, 600 V)
Technology Superjunction N-Channel MOSFET CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 28 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 70 mΩ (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] 4 V max @ ID = 190 µA
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 169 W —
Avalanche Energy (EAS) 171 mJ —
Рабочая температура перехода -55°C to +150°C —
Корпус PG-VSON-4 (surface mount) PG-TO252-3 (DPAK)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Configuration Single with built-in diode —
Channel Type N-Channel —
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 12 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 280 mΩ (typical)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Total Power Dissipation (Ptot, Tc) — 53 W
Operating Junction Temperature (TJ) — -40 °C to +150 °C
Integrated ESD Protection — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену