IPN60R360P7SATMA1 vs IPD80R600P7ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPN60R360P7SATMA1 от Infineon и IPD80R600P7ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPN60R360P7SATMA1 IPN60R360P7SATMA1 - 600V 360mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN60R360P7SATMA1 - 600V 360mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN60R360P7SATMA1 ✓ Активен
Infineon
IPD80R600P7ATMA1 IPD80R600P7ATMA1 - 800V 600mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R600P7ATMA1 - 800V 600mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD80R600P7ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPN60R360P7SATMA1 IPD80R600P7ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,37 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET CoolMOS P7 super-junction
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 800 V
On-Resistance RDS(on) max 360 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 9 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C [DATA_NEEDED: ID at TA=25°C with standard PCB] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 22 A
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 7 W —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] 3 V (typical)
Total Gate Charge (QG) [DATA_NEEDED: QG typical at VGS=10V] —
Диапазон рабочих температур -55°C to +150°C (TJ) -55 C to +150 C
Корпус PG-SOT223 (Surface Mount) PG-TO252-3 (DPAK)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
ESD Protection Yes (integrated cell) —
Без галогенов Yes (per Infineon datasheet) —
RoHS Compliance Compliant —
Число выводов 3 functional + tab (PG-SOT223) —
Body Diode Integrated, fast-recovery —
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 8 A
On-Resistance (RDS(on), max) — 600 mΩ at VGS=10V
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 60 W (Tc)
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) — ±30 V
Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) — 20 mJ
Avalanche Energy, Repetitive (EAR) — 0.17 mJ
Polarity — N-Channel
Уровень MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену