IPP100N12S305AKSA2 vs IPP100N12S305AKSA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPP100N12S305AKSA2 от Infineon и IPP100N12S305AKSA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPP100N12S305AKSA2 IPP100N12S305AKSA2 - 120V 100A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon

IPP100N12S305AKSA2 - 120V 100A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon

IPP100N12S305AKSA2 ✓ Активен
Infineon
IPP100N12S305AKSA1 IPP100N12S305AKSA1 - 120V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

IPP100N12S305AKSA1 - 120V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

IPP100N12S305AKSA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPP100N12S305AKSA2 IPP100N12S305AKSA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $3,78 $2,05
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 120 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, TC=100C) [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum Power Dissipation (PD, TC=25C) 300 W —
On-State Resistance R_DS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: R_DS(on) max] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg value] —
Reverse Recovery Charge Qrr [DATA_NEEDED: Qrr value] —
Диапазон рабочих температур -55C to +175C (TJ) —
Корпус PG-TO220-3-1 (Through Hole) TO-220 (PG-TO220-3-1)
Тип монтажа Through Hole Through Hole
Число выводов 3 (Gate, Drain, Source) 3
Статус RoHS Compliant —
Уровень MSL N/A (Through Hole) —
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Тип транзистора — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS trench
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Импульсный ток стока — [DATA_NEEDED: pulsed ID value]
Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc — 300 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Avalanche Energy, Single Pulse — [DATA_NEEDED: EAS]
Рабочая температура перехода — -55 °C to +175 °C
MSL Moisture Sensitivity Level — 1 (260 °C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Tested — 100% tested
RoHS Compliance — Compliant (Green product)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену