IPP100N12S305AKSA2 vs IPP100N12S305AKSA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPP100N12S305AKSA2 제조: Infineon 및 IPP100N12S305AKSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IPP100N12S305AKSA2 IPP100N12S305AKSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $3.78 $2.05
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 120 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, TC=100C) [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum Power Dissipation (PD, TC=25C) 300 W —
On-State Resistance R_DS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: R_DS(on) max] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg value] —
Reverse Recovery Charge Qrr [DATA_NEEDED: Qrr value] —
동작 온도 범위 -55C to +175C (TJ) —
패키지 PG-TO220-3-1 (Through Hole) TO-220 (PG-TO220-3-1)
실장 유형 Through Hole Through Hole
핀 수 3 (Gate, Drain, Source) 3
RoHS 상태 Compliant —
MSL 레벨 N/A (Through Hole) —
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS trench
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
펄스 드레인 전류 — [DATA_NEEDED: pulsed ID value]
Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc — 300 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Avalanche Energy, Single Pulse — [DATA_NEEDED: EAS]
동작 접합 온도 — -55 °C to +175 °C
MSL Moisture Sensitivity Level — 1 (260 °C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Tested — 100% tested
RoHS Compliance — Compliant (Green product)

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