IPP120N08S403AKSA1 vs IRFB3306PBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPP120N08S403AKSA1 от Infineon и IRFB3306PBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPP120N08S403AKSA1 IPP120N08S403AKSA1 - 80V 120A N-Ch MOSFET | Infineon OptiMOS

IPP120N08S403AKSA1 - 80V 120A N-Ch MOSFET | Infineon OptiMOS

IPP120N08S403AKSA1 ✓ Активен
Infineon
IRFB3306PBF IRFB3306PBF - 60V 120A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFB3306PBF - 60V 120A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFB3306PBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPP120N08S403AKSA1 IRFB3306PBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,15 $1,05
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 120 A —
Pulsed Drain Current (bondwire-limited) 245 A at 25 C —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 278 W (Tc) —
On-State Resistance (RDS(on)) 2.8 mOhm typical at VGS=10 V, ID=100 A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V max —
Total Gate Charge (Qg) 167 nC —
Input Capacitance (Ciss) 11550 pF —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 0.54 K/W —
Рабочая температура перехода -55 C to +175 C -55°C to +175°C
Корпус TO-220-3-1 (PG-TO220-3-1) TO-220AB (through-hole)
Тип монтажа Through Hole Through Hole
Уровень MSL MSL1 (peak reflow up to 260 C) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Avalanche Rating 100% avalanche-tested —
Статус RoHS Compliant (Green Product) —
Channel Type N-Channel enhancement mode —
Technology Family OptiMOS —
FET Type — N-Channel
Technology — IR HEXFET (MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25°C — 120 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (Vgs) max — ±20 V
Rds(on) max @ Vgs=10V — 4.2 mΩ
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Gate-Drain Charge (Qgd) typ — 26 nC (nominal)
Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C — 230 W
RoHS / Lead-Free (PbF) — Yes (PbF suffix indicates lead-free, RoHS compliant)
Avalanche Rated — Yes
Body Diode — Intrinsic (avalanche-rated)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену