IPT007N06NATMA1 vs BSZ060NE2LSATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IPT007N06NATMA1 от Infineon и BSZ060NE2LSATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPT007N06NATMA1 IPT007N06NATMA1 - 60V 300A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPT007N06NATMA1 - 60V 300A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IPT007N06NATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSZ060NE2LSATMA1 BSZ060NE2LSATMA1 - 25V 44A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSZ060NE2LSATMA1 - 25V 44A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSZ060NE2LSATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IPT007N06NATMA1 BSZ060NE2LSATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,84 $0,27
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS™ (N-Channel Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 25 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 300 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 44 A
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V max) 0.75 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Power Dissipation (PD, TC=25C) 375 W —
Диапазон рабочих температур -55 C to +175 C (TJ) -55C to +150C
Корпус PG-HSOF-8-1 (TOLL) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-channel —
Gate Charge (QG) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] —
Thermal Resistance (RthJC max) [DATA_NEEDED: RthJC] —
Уровень MSL MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Без галогенов Yes —
Standard Pack Quantity 3000 (Tape & Reel) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSZ060NE2LSATMA1
Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C — 12 A
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 44 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 6 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=4.5V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (Ta) — 2.1 W
Power Dissipation (Tc) — 26 W
Shipping Packaging — Tape & Reel

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену