IQD005N04NM6CGATMA1 vs ISC046N13NM6ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IQD005N04NM6CGATMA1 от Infineon и ISC046N13NM6ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IQD005N04NM6CGATMA1 | ISC046N13NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,62 | $1,08 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 6 (trench FET) | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| RDS(on) Typical | 0.5 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 58 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 610 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulsed rating] | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 333 W | — |
| Диапазон рабочих температур | -55 °C to +150 °C (TJ) | -55 C to +175 C |
| Корпус | PG-TTFN-9-U02 (Source-Down 5x6 mm²) | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Число выводов | 9 | — |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Source Configuration | Source-Down (bottom-side source for PCB heatsinking) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS 6 |
| Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 135 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 17 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 142 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 211 W |
| Корпус / Типоразмер | — | PG-TDSON-8 |
| Gate Drive (recommended) | — | 10 V (typical) |
| Packaging | — | Tape & Reel |