IQD016N08NM5ATMA1 vs IQE050N08NM5CGATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IQD016N08NM5ATMA1 от Infineon и IQE050N08NM5CGATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IQE050N08NM5CGATMA1 - 80V N-Ch MOSFET 5mΩ Source-Down | Infineon
IQE050N08NM5CGATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IQD016N08NM5ATMA1 | IQE050N08NM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,68 | $1,75 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 31 A | 16 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | 323 A | 101 A |
| On-Resistance RDS(on) typical | 1.6 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 333 W | 100 W |
| Корпус | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) | PG-TTFN-9-1 (Surface Mount) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 Power-MOSFET | OptiMOS 5 (Source-Down) |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +150C (junction, standard MOSFET rating) | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| On-Resistance RDS(on) Max | — | 5.0 mΩ |
| Gate Threshold Vgs(th) Typ | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] |
| Рабочая температура | — | -55°C to +175°C (TJ max) |
| Total Gate Charge Qg Typ | — | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical] |
| Уровень MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |