IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 vs IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 от Infineon и IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,78 | $1,84 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | — |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 54 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 422 A | — |
| RDS(on) Max | 0.5 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 2 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 150 W | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| Корпус | PG-WHTFN-9-1 (surface mount) | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| Technology | Silicon N-Channel Power MOSFET | OptiMOS 5 Power-Transistor |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 75 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 789 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 278 W |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | — | 0.29 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 2 V (typ) |
| Число выводов | — | 9 |
| Cooling | — | Dual-side exposed pad (top + bottom) |
| Уровень MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Статус RoHS | — | Compliant |