IRF5305STRRPBF vs IRF5305STRLPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRF5305STRRPBF от Infineon и IRF5305STRLPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRF5305STRRPBF IRF5305STRRPBF - P-CH 55V 31A HEXFET MOSFET D2PAK | Infineon

IRF5305STRRPBF - P-CH 55V 31A HEXFET MOSFET D2PAK | Infineon

IRF5305STRRPBF ✓ Активен
Infineon
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF - 55V P-Ch MOSFET 31A 60mΩ | Infineon

IRF5305STRLPBF - 55V P-Ch MOSFET 31A 60mΩ | Infineon

IRF5305STRLPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRF5305STRRPBF IRF5305STRLPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,62 $0,92
Тип транзистора P-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (Advanced Process) HEXFET (fifth generation), IR MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC -31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max @ VGS=-10V 60 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] —
Power Dissipation (TC) 110 W —
Power Dissipation (TA) 3.8 W —
Рабочая температура перехода -55C to +175C —
Корпус D2PAK (TO-263) Surface Mount TO-263 / D2PAK (surface mount)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free suffix) Yes (Pb-free suffix PBF)
Packaging Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR), 800 pcs per reel
Polarity P-Channel —
Polarity / Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -31 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — [DATA_NEEDED: ID at TA=25C]
RDS(on) max at VGS=-10V — 60 mOhm
RDS(on) max at VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Total Gate Charge (Qg) — 42 nC (Mouser listing) / 63 nC (Future Electronics listing)
Maximum Power Dissition at Tc — 110 W
Maximum Power Dissipation at TA — 3.8 W
Диапазон рабочих температур — [DATA_NEEDED: Tj max / operating range]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену