IRF5305STRRPBF vs IRF5305STRLPBF 比較

詳細な並列比較: IRF5305STRRPBF メーカー: Infineon および IRF5305STRLPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRF5305STRRPBF IRF5305STRRPBF - P-CH 55V 31A HEXFET MOSFET D2PAK | Infineon

IRF5305STRRPBF - P-CH 55V 31A HEXFET MOSFET D2PAK | Infineon

IRF5305STRRPBF ✓ 生産中
Infineon
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF - 55V P-Ch MOSFET 31A 60mΩ | Infineon

IRF5305STRLPBF - 55V P-Ch MOSFET 31A 60mΩ | Infineon

IRF5305STRLPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRF5305STRRPBF IRF5305STRLPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.62 $0.92
トランジスタタイプ P-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (Advanced Process) HEXFET (fifth generation), IR MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC -31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max @ VGS=-10V 60 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] —
Power Dissipation (TC) 110 W —
Power Dissipation (TA) 3.8 W —
動作接合温度 -55C to +175C —
パッケージ D2PAK (TO-263) Surface Mount TO-263 / D2PAK (surface mount)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free suffix) Yes (Pb-free suffix PBF)
Packaging Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR), 800 pcs per reel
Polarity P-Channel —
Polarity / Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -31 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — [DATA_NEEDED: ID at TA=25C]
RDS(on) max at VGS=-10V — 60 mOhm
RDS(on) max at VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Total Gate Charge (Qg) — 42 nC (Mouser listing) / 63 nC (Future Electronics listing)
Maximum Power Dissition at Tc — 110 W
Maximum Power Dissipation at TA — 3.8 W
動作温度範囲 — [DATA_NEEDED: Tj max / operating range]

データシート&リソース

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