IRF7319TRPBF vs IRF7205TRPBF Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IRF7319TRPBF от Infineon и IRF7205TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IRF7319TRPBF | IRF7205TRPBF |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,62 | $0,18 |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Product Type | Dual MOSFET Array (N-channel + P-channel) | — |
| Technology | IR MOSFET / Fifth Generation HEXFET | IR HEXFET (4th generation) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 30 V | -30 V |
| Continuous Drain Current N-channel (ID) | 6.5 A | — |
| Continuous Drain Current P-channel (ID) | 4.9 A | — |
| RDS(on) Max N-channel | 29 mOhm (per Infineon product page) | — |
| RDS(on) Max P-channel | [DATA_NEEDED: P-channel RDS(on) max] | — |
| Total Power Dissipation (PD) | 2 W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient N-ch | 120 C/W (steady state) | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient P-ch | 110 C/W (steady state) | — |
| Package Type | 8-SOIC (SO-8) | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +150C (junction) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix = Pb-free) | — |
| Packaging | Tape & Reel (TR suffix) | Tape & Reel (TR suffix) |
| Configuration | N-Channel + P-Channel (complementary half-bridge) | — |
| FET Type | — | P-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | -4.6 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V | — | 70 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V | — | 130 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | -1.0 V to -3.0 V |
| Total Gate Charge Qg | — | 27 nC |
| Рассеиваемая мощность (TC=25°C) | — | 2.5 W |
| Рабочая температура перехода | — | -55 °C to +150 °C |
| Корпус | — | SO-8 (8-SO) |
| RoHS / Lead-Free | — | Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant |