IRFR024NTRPBF vs IRFR3710ZTRLPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRFR024NTRPBF от Infineon и IRFR3710ZTRLPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF - 55V 17A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR024NTRPBF - 55V 17A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR024NTRPBF ✓ Активен
Infineon
IRFR3710ZTRLPBF IRFR3710ZTRLPBF - 100V 42A HEXFET N-MOSFET DPAK | Infineon

IRFR3710ZTRLPBF - 100V 42A HEXFET N-MOSFET DPAK | Infineon

IRFR3710ZTRLPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRFR024NTRPBF IRFR3710ZTRLPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,31 $0,58
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Product Series HEXFET Power MOSFET (5th generation) —
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) 17 A (at TC = 25 C) —
Pulsed Drain Current (IDM) 60 A —
On-Resistance (RDS(on)) 75 mOhm max (at VGS = 10 V) —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Typical Gate Charge (Qg) 13.3 nC —
Total Power Dissipation (PD) 45 W (at TC = 25 C) —
Рабочая температура перехода -55 C to +175 C —
Корпус TO-252-3 (DPAK, SC-63), surface mount TO-252AA (DPAK), 3-pin (2+tab)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape and Reel (TR) —
RoHS Compliance Compliant (Pb-free / PbF terminations) —
Уровень MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide), HEXFET
Drain to Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C (Tc) — 42 A
Max Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max @ VGS=10V — 18 mOhm
Gate-Source Voltage (Vgs) max — [DATA_NEEDED: Vgs max rating]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th) typ) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Total Gate Charge (Qg) — 69 nC
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 140 W
Avalanche Energy Rating (EAS) — 150 mJ
Maximum Junction Temperature — 175 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per Lisleapex listing)
Configuration — Single with built-in diode
Рабочая температура — -55 C to +175 C (TJ)
Статус RoHS — Compliant (Pb-free PBF suffix)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену