IRFR120NTRPBF vs IRFML8244TRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRFR120NTRPBF от Infineon и IRFML8244TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR120NTRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR120NTRPBF ✓ Активен
Infineon
IRFML8244TRPBF IRFML8244TRPBF - 25V 5.8A N-Ch MOSFET, 24mOhm | Infineon

IRFML8244TRPBF - 25V 5.8A N-Ch MOSFET, 24mOhm | Infineon

IRFML8244TRPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRFR120NTRPBF IRFML8244TRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,26 $0,15
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 9.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 48 W —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max 210 milliohms at VGS=10V —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V to 4 V typical —
Total Gate Charge (Qg) typical 16.7 nC —
Gate-to-Source Charge (Qgs) [DATA_NEEDED: Qgs] —
Gate-to-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: Crss] —
Диапазон рабочей температуры перехода -55C to +175C —
Корпус TO-252AA (DPAK) SOT-23-3 (TO-236-3, SC-59)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Technology HEXFET (IR MOSFET fifth generation) IR MOSFET (HEXFET)
Avalanche Energy Rating (EAS) [DATA_NEEDED: EAS] —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) max [DATA_NEEDED: RthJC] —
Lead-Free / RoHS Status Lead-Free, RoHS Compliant —
Тип транзистора — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — 5.8 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
RDS(on) max @ VGS=10V — 24 mOhm
RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Total Gate Charge (Qg) — 5.4 nC
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
Power Dissipation (PD) max — 1.25 W (Ta)
Диапазон рабочих температур — -55 C to +150 C (junction)
Уровень MSL — MSL1
Pin Configuration — Industry-standard SOT-23 pinout (G-D-S)
Статус RoHS — Compliant (Pb-free, halogen-free)
Qualification — Consumer grade

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену