IRFR3411TRPBF vs IRF7815TRPBF Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IRFR3411TRPBF от Infineon и IRF7815TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IRFR3411TRPBF | IRF7815TRPBF |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,55 | $0,36 |
| Polarity | N-Channel | — |
| FET Type | MOSFET (Metal Oxide) | N-Channel MOSFET |
| V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) | 100 V | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 44 mOhm | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | 32 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | 130 W | — |
| Gate Charge (Qg) | 48 nC | — |
| Operating Mode | Enhancement | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 C | — |
| Диапазон рабочих температур | -55 C to +175 C | -55C to +150C (Tj) |
| Корпус | TO-252AA (DPAK) | SO-8 (8-SO) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Количество выводов | 3 | — |
| Technology | HEXFET Power MOSFET (IR) | IR MOSFET (HEXFET) |
| Avalanche Rated | Yes (fully avalanche rated) | Yes |
| dv/dt Rating | Dynamic dv/dt rated | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Lead-free, PBF suffix) | — |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | — | 5.1 A |
| Rds(on) Max at Vgs=10V | — | 43 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) Typ | — | 3.0 V |
| Total Gate Charge (Qg) Typ | — | 25 nC |
| Maximum Power Dissipation (Ta=25C) | — | 2.5 W |
| Уровень MSL | — | 1 |
| Статус RoHS | — | Compliant (Pb-free) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Configuration | — | Single |