IRFR4615TRLPBF vs IRF530NPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRFR4615TRLPBF от Infineon и IRF530NPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRFR4615TRLPBF IRF530NPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,39 $0,38
Technology IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode) —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 60 A
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] ±20 V
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 42 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 26 nC —
Gate-Source Charge (Qgs) [DATA_NEEDED: Qgs] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 144 W —
Avalanche Energy (EAS) 109 mJ —
Диапазон рабочих температур -55C to +175C —
Корпус TO-252AA (DPAK) —
Тип монтажа Surface Mount Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates Pb-free) —
Энергия одиночного лавинного импульса 109 mJ —
Part Number — IRF530NPBF
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Тип транзистора — N-Channel HEXFET Power MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 17 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 90 mOhm (max, approximate per datasheet)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Maximum Power Dissition (Pd) at Tc — 70 W
Рабочая температура перехода — -55 C to +175 C
Корпус / Типоразмер — TO-220AB (through-hole)
Avalanche Rated — Yes
Статус RoHS — Compliant
Уровень MSL — N/A (through-hole)
Configuration — Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену