IRFR4615TRLPBF vs IRF530NPBF 比較
詳細な並列比較: IRFR4615TRLPBF メーカー: Infineon および IRF530NPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | IRFR4615TRLPBF | IRF530NPBF |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.39 | $0.38 |
| Technology | IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 33 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | 60 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | ±20 V |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 42 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 26 nC | — |
| Gate-Source Charge (Qgs) | [DATA_NEEDED: Qgs] | — |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | [DATA_NEEDED: Qgd] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 144 W | — |
| Avalanche Energy (EAS) | 109 mJ | — |
| 動作温度範囲 | -55C to +175C | — |
| パッケージ | TO-252AA (DPAK) | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Through Hole |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix indicates Pb-free) | — |
| 単一パルスアバランシェエネルギー | 109 mJ | — |
| Part Number | — | IRF530NPBF |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| トランジスタタイプ | — | N-Channel HEXFET Power MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 17 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 90 mOhm (max, approximate per datasheet) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Maximum Power Dissition (Pd) at Tc | — | 70 W |
| 動作接合温度 | — | -55 C to +175 C |
| パッケージ / ケース | — | TO-220AB (through-hole) |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| RoHS ステータス | — | Compliant |
| MSLレベル | — | N/A (through-hole) |
| Configuration | — | Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source) |