IRFR4615TRLPBF vs IRFH7084TRPBF Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IRFR4615TRLPBF от Infineon и IRFH7084TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IRFR4615TRLPBF | IRFH7084TRPBF |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,39 | $0,45 |
| Technology | IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode) | StrongIRFET™ (trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 33 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | ±20 V |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 42 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 26 nC | — |
| Gate-Source Charge (Qgs) | [DATA_NEEDED: Qgs] | — |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | [DATA_NEEDED: Qgd] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 144 W | — |
| Avalanche Energy (EAS) | 109 mJ | — |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +175C | -55°C to +175°C (TJ) |
| Корпус | TO-252AA (DPAK) | 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix indicates Pb-free) | — |
| Энергия одиночного лавинного импульса | 109 mJ | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) | — | 100 A |
| Silicon-Limited Drain Current | — | 265 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 156 W |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.25 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | — | 0.95 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 1.7 V to 2.7 V |
| Input Capacitance (Ciss) max @ 25V | — | 6560 pF |
| Уровень MSL | — | 1 |
| Статус RoHS | — | Compliant |
| Без галогенов | — | Compliant |
| RthJC max | — | 0.96 °C/W (per datasheet) |