IRFR5410TRPBF vs IPD042P03L3GATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IRFR5410TRPBF от Infineon и IPD042P03L3GATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IRFR5410TRPBF - -100V P-Channel HEXFET MOSFET, 13A, DPAK | Infineon
IRFR5410TRPBF ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IRFR5410TRPBF | IPD042P03L3GATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,71 | $0,28 |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -100 V | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C | -13 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V | 205 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) typ | 70 nC | — |
| Корпус | TO-252AA (DPAK), surface mount | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Power Dissition (PD) at TC = 25 °C | 66 W | — |
| Диапазон рабочих температур | -55 °C to +150 °C (TJ) | -55°C to +175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (advanced process, Gen 5) | OptiMOS™ P (Trench) |
| Avalanche Rated | Yes (fully avalanche rated) | — |
| Lead-Free / RoHS Status | Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) | — |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| RDS(on) Test Conditions | VGS = -10 V, ID = -7.0 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | -70 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | -280 A |
| RDS(on) max @ VGS = -10 V | — | 4.2 mΩ |
| RDS(on) max @ VGS = -4.5 V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) @ -4.5 V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | -1.5 V (typ) |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Total Power Dissipation (PD @ Tc=25°C) | — | 150 W |
| Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) | — | 290 mJ |
| Статус RoHS | — | Compliant |