IRFR5410TRPBF vs IPD50P04P4L11ATMA2 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRFR5410TRPBF от Infineon и IPD50P04P4L11ATMA2 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 - P-Ch 40V 50A 10.6mΩ MOSFET | Infineon

IPD50P04P4L11ATMA2 - P-Ch 40V 50A 10.6mΩ MOSFET | Infineon

IPD50P04P4L11ATMA2 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRFR5410TRPBF IPD50P04P4L11ATMA2
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,71 $0,82
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C -13 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V 205 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) typ 70 nC —
Корпус TO-252AA (DPAK), surface mount PG-TO252-3-313 (DPAK), surface mount
Power Dissition (PD) at TC = 25 °C 66 W —
Диапазон рабочих температур -55 °C to +150 °C (TJ) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (advanced process, Gen 5) —
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
Lead-Free / RoHS Status Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
RDS(on) Test Conditions VGS = -10 V, ID = -7.0 A —
Тип транзистора — P-Channel MOSFET, enhancement mode
Drain-Source Voltage VDS — -40 V
Continuous Drain Current ID (TC = 25 °C) — -50 A
On-State Resistance RDS(on) (VGS = -10 V) — 10.6 mΩ typical
Gate-Source Voltage VGS (max) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — -1.0 V to -2.5 V typical
Typical Gate Charge Qg — 45 nC
Power Dissipation PD (TC = 25 °C) — 58 W
Рабочая температура перехода — -55 °C to +175 °C
Число выводов — 3 (Drain / Tab / Source / Gate)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance — Compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену