IRFR5410TRPBF vs IPD50P04P4L11ATMA2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFR5410TRPBF por Infineon e IPD50P04P4L11ATMA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 - P-Ch 40V 50A 10.6mΩ MOSFET | Infineon

IPD50P04P4L11ATMA2 - P-Ch 40V 50A 10.6mΩ MOSFET | Infineon

IPD50P04P4L11ATMA2 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IRFR5410TRPBF IPD50P04P4L11ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,71 $0,82
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C -13 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V 205 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) typ 70 nC —
Encapsulamento TO-252AA (DPAK), surface mount PG-TO252-3-313 (DPAK), surface mount
Power Dissition (PD) at TC = 25 °C 66 W —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +150 °C (TJ) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (advanced process, Gen 5) —
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
Lead-Free / RoHS Status Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
RDS(on) Test Conditions VGS = -10 V, ID = -7.0 A —
Tipo de transistor — P-Channel MOSFET, enhancement mode
Drain-Source Voltage VDS — -40 V
Continuous Drain Current ID (TC = 25 °C) — -50 A
On-State Resistance RDS(on) (VGS = -10 V) — 10.6 mΩ typical
Gate-Source Voltage VGS (max) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — -1.0 V to -2.5 V typical
Typical Gate Charge Qg — 45 nC
Power Dissipation PD (TC = 25 °C) — 58 W
Temperatura de junção de operação — -55 °C to +175 °C
Contagem de pinos — 3 (Drain / Tab / Source / Gate)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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