IRFR5410TRPBF vs IPD50P04P4L11ATMA2 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRFR5410TRPBF 제조: Infineon 및 IPD50P04P4L11ATMA2 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 - P-Ch 40V 50A 10.6mΩ MOSFET | Infineon

IPD50P04P4L11ATMA2 - P-Ch 40V 50A 10.6mΩ MOSFET | Infineon

IPD50P04P4L11ATMA2 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IRFR5410TRPBF IPD50P04P4L11ATMA2
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.71 $0.82
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C -13 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V 205 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) typ 70 nC —
패키지 TO-252AA (DPAK), surface mount PG-TO252-3-313 (DPAK), surface mount
Power Dissition (PD) at TC = 25 °C 66 W —
동작 온도 범위 -55 °C to +150 °C (TJ) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (advanced process, Gen 5) —
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
Lead-Free / RoHS Status Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
RDS(on) Test Conditions VGS = -10 V, ID = -7.0 A —
트랜지스터 유형 — P-Channel MOSFET, enhancement mode
Drain-Source Voltage VDS — -40 V
Continuous Drain Current ID (TC = 25 °C) — -50 A
On-State Resistance RDS(on) (VGS = -10 V) — 10.6 mΩ typical
Gate-Source Voltage VGS (max) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — -1.0 V to -2.5 V typical
Typical Gate Charge Qg — 45 nC
Power Dissipation PD (TC = 25 °C) — 58 W
동작 접합 온도 — -55 °C to +175 °C
핀 수 — 3 (Drain / Tab / Source / Gate)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance — Compliant

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청