IRFZ34NPBF vs IRFR3411TRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRFZ34NPBF от Infineon и IRFR3411TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF - 55V 29A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFZ34NPBF - 55V 29A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFZ34NPBF ✓ Активен
Infineon
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF - 100V 32A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR3411TRPBF - 100V 32A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR3411TRPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRFZ34NPBF IRFR3411TRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,61 $0,55
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Status Active —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode MOSFET (Metal Oxide)
Technology HEXFET (Planar DMOS, 5th generation) HEXFET Power MOSFET (IR)
Drain-Source Voltage (V_DSS) 55 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C 29 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (P_D) at Tc=25C 68 W —
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V 40 mOhm —
Gate Charge (Q_g) typ 22.7 nC —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Input Capacitance (C_iss) typ [DATA_NEEDED: input capacitance] —
Диапазон рабочих температур -55 C to +175 C -55 C to +175 C
Maximum Junction Temperature 175 C 175 C
Корпус TO-220AB (3-pin + tab, through-hole) TO-252AA (DPAK)
Тип монтажа Through Hole Surface Mount
Lead-Free Status Yes (Pb-free, RoHS compliant) —
Qualification JEDEC standard —
Статус RoHS Compliant —
Configuration Single N-Channel, 3-pin (3+tab) —
Polarity — N-Channel
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 100 V
RDS(on) max @ VGS=10V — 44 mOhm
Continuous Drain Current (Id) @ Tc — 32 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 130 W
Gate Charge (Qg) — 48 nC
Operating Mode — Enhancement
Количество выводов — 3
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
dv/dt Rating — Dynamic dv/dt rated
Lead-Free / RoHS — Yes (Lead-free, PBF suffix)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену