IRFZ44NSTRLPBF vs IRLS3034TRLPBF Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IRFZ44NSTRLPBF от Infineon и IRLS3034TRLPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IRLS3034TRLPBF - 40V 343A 1.7mΩ N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon
IRLS3034TRLPBF ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IRFZ44NSTRLPBF | IRLS3034TRLPBF |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,93 | $1,55 |
| Polarity | N-Channel | — |
| MOSFET Operating Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 49 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | 343 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | 2.5 V (typical) |
| Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | 17.5 mOhm at VGS=10V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 42 nC | 108 nC |
| Power Dissipation (TC) | 94 W | — |
| Power Dissipation (TA) | 3.8 W | — |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +175C | -40°C to +175°C (TJ) |
| Корпус | D2PAK (TO-263) | D2PAK (TO-263), Surface Mount |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET | IR HEXFET (planar N-channel) |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free (PBF suffix) | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel MOSFET, Metal Oxide |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 195 A |
| RDS(on) Max at VGS=10V, ID=195A | — | 1.7 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 375 W |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix) |
| Уровень MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Shipping Format | — | Tape and Reel, 7-inch (TRL) |