IRS2153DSPBF vs IRS2153DSTRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRS2153DSPBF от Infineon и IRS2153DSTRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Сравнение характеристик

Параметр IRS2153DSPBF IRS2153DSTRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,98 $0,42
Функция Half-bridge gate driver with RC input oscillator —
Configuration High-side + low-side driver, half-bridge —
Количество выходов 2 (HO, LO) —
Maximum Offset Voltage (Voffset) 600 V —
VCC Supply Voltage 10 V to 20 V —
VBS High-side Supply Voltage VCC + 0.3 V (typical bootstrap) —
Gate Drive Source Current (IO+) 130 mA typical —
Gate Drive Sink Current (IO-) 270 mA typical —
Rise Time (tr) [DATA_NEEDED: tr] (typical ~100 ns) —
Fall Time (tf) [DATA_NEEDED: tf] (typical ~50 ns) —
Internal Deadtime ~1.2 us —
Рабочая температура -40 C to +125 C —
Корпус 8-SOIC (SOIC-8) 8-pin SOIC
Input Type RC-input oscillator (no external PWM required) —
Logic Polarity Inverting / Non-inverting per channel —
Undervoltage Lockout Yes (VCC) —
Technology HVIC + latch-immune CMOS HVIC + latch-immune CMOS
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Топология — Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator
High-Side Floating Supply Absolute Max — 600 V
VDD Supply Voltage Range — 10 V to 20 V
Output Source Current (typ.) — 0.18 A
Output Sink Current (typ.) — 0.26 A
Internal Propagation Delay (typ.) — 1.1 us
Integrated Bootstrap FET — Yes
Oscillator Type — RC-based, similar to CMOS 555 timer
Programmable Shutdown Pin — Yes
Диапазон рабочих температур — -40C to +125C
Статус RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену