IRS2153DSPBF vs IRS2153DSTRPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRS2153DSPBF 제조: Infineon 및 IRS2153DSTRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRS2153DSPBF IRS2153DSTRPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.98 $0.42
기능 Half-bridge gate driver with RC input oscillator —
Configuration High-side + low-side driver, half-bridge —
출력 수 2 (HO, LO) —
Maximum Offset Voltage (Voffset) 600 V —
VCC Supply Voltage 10 V to 20 V —
VBS High-side Supply Voltage VCC + 0.3 V (typical bootstrap) —
Gate Drive Source Current (IO+) 130 mA typical —
Gate Drive Sink Current (IO-) 270 mA typical —
Rise Time (tr) [DATA_NEEDED: tr] (typical ~100 ns) —
Fall Time (tf) [DATA_NEEDED: tf] (typical ~50 ns) —
Internal Deadtime ~1.2 us —
동작 온도 -40 C to +125 C —
패키지 8-SOIC (SOIC-8) 8-pin SOIC
Input Type RC-input oscillator (no external PWM required) —
Logic Polarity Inverting / Non-inverting per channel —
Undervoltage Lockout Yes (VCC) —
Technology HVIC + latch-immune CMOS HVIC + latch-immune CMOS
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
토폴로지 — Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator
High-Side Floating Supply Absolute Max — 600 V
VDD Supply Voltage Range — 10 V to 20 V
Output Source Current (typ.) — 0.18 A
Output Sink Current (typ.) — 0.26 A
Internal Propagation Delay (typ.) — 1.1 us
Integrated Bootstrap FET — Yes
Oscillator Type — RC-based, similar to CMOS 555 timer
Programmable Shutdown Pin — Yes
동작 온도 범위 — -40C to +125C
RoHS 상태 — Compliant
Lead-Free — Yes

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