IRSM808-105MH vs IRSM808-105MHTR Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRSM808-105MH от Infineon и IRSM808-105MHTR от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRSM808-105MH IRSM808-105MH - 10A 500V Half-Bridge IPM | Infineon

IRSM808-105MH - 10A 500V Half-Bridge IPM | Infineon

IRSM808-105MH ✓ Активен
Infineon
IRSM808-105MHTR IRSM808-105MHTR - 10A 500V Half-Bridge IPM | Infineon

IRSM808-105MHTR - 10A 500V Half-Bridge IPM | Infineon

IRSM808-105MHTR ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRSM808-105MH IRSM808-105MHTR
Бренд Infineon Infineon
Категория Motor Drivers Motor Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,65 $2,31
Топология Half-bridge (2 FREDFET switches + HVIC driver) Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Drain-Source Blocking Voltage (VDS) 500 V 500 V
Continuous Drain Current (ID @ TC=25C) 10 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 0.8 ohm max —
Maximum Switching Power 200 W —
Gate Driver Integrated HVIC (half-bridge, bootstrap) Integrated high-voltage level-shift HVIC
Dead-Time Generation Internal (configurable via DT pin) Integrated (prevents cross-conduction)
Supply Voltage (VCC) 15 V typical —
Bootstrap Supply (VB) up to 500 V + 15 V —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Logic Input Voltage (HIN/LIN) 3.3 V / 5 V compatible —
Fault Output Yes (active-low FAULT pin) —
Диапазон рабочих температур -40C to +125C (TJ) -40C to +125C (junction)
Корпус 31-PQFN 8x9 mm (also called QFN 8x9, isolated) 31-PQFN (8x9 mm) with exposed thermal pad
Isolation Voltage 1500 Vrms (per package, functional isolation) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL 3 3 (per JEDEC J-STD-020)
Статус RoHS Compliant Compliant
Continuous Output Current — 10 A
Continuous Motor Power — 200 W
Power Switch Technology — Trench FREDFET (low RDS(on) MOSFET)
Logic Supply Voltage (VCC) — 13.5 V to 16.5 V
Bootstrap Diode — Integrated
Protection Features — Over-current, Under-voltage lockout (UVLO), Thermal shutdown
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS
Isolation — Electrically isolated thermal pad (high-voltage creepage per IPM package)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену