ISC009N06NM6ATMA1 vs IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок ISC009N06NM6ATMA1 от Infineon и IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 - 25V 422A OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | ISC009N06NM6ATMA1 | IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,68 | $1,42 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 60 V | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 40 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc=25C | 344 A | — |
| Power Dissition (PD) at Ta=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 221 W | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| RDS(on) max @ VGS=10 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical value at VGS=10 V] | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| Диапазон рабочих температур | -55 °C to +175 °C | -55 degrees C to +175 degrees C |
| Корпус | PG-TDSON-8 (3.3 x 3.3 mm) | PG-TTFN-9-3 |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Уровень MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Без галогенов | Yes | — |
| AEC-Q101 Qualification | [DATA_NEEDED: AEC-Q101 status] | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vds) Max | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 54 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 422 A |
| Maximum On-Resistance (Rds(on)) | — | 0.5 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 1.7 V |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 150 W |
| Maximum Junction Temperature | — | +175 degrees C |
| Technology | — | OptiMOS 7 (Trench-Gate) |
| Qualification | — | Industrial grade per Infineon datasheet |