ISC019N08NM7ATMA1 vs IQE050N08NM5CGATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок ISC019N08NM7ATMA1 от Infineon и IQE050N08NM5CGATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IQE050N08NM5CGATMA1 - 80V N-Ch MOSFET 5mΩ Source-Down | Infineon
IQE050N08NM5CGATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | ISC019N08NM7ATMA1 | IQE050N08NM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,18 | $1,75 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 7) | OptiMOS 5 (Source-Down) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: max VGS rating] | — |
| Drain Current (ID), TC=25°C | 209 A | — |
| Drain Current (ID), TA=25°C | 26 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) max] | — |
| On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | 1.9 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD), TC=25°C | 188 W | — |
| Power Dissipation (PD), TA=25°C | 3 W (6 cm² FR4) | — |
| Рабочая температура перехода | -55 °C to +175 °C | — |
| Корпус | PG-TDSON-8-43 (SuperSO8) | PG-TTFN-9-1 (Surface Mount) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Без галогенов | Yes | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Gate Threshold VGS(th) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Total Gate Charge QG | [DATA_NEEDED: QG] | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 16 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 101 A |
| On-Resistance RDS(on) Max | — | 5.0 mΩ |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 100 W |
| Gate Threshold Vgs(th) Typ | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] |
| Рабочая температура | — | -55°C to +175°C (TJ max) |
| Total Gate Charge Qg Typ | — | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical] |