ISC046N13NM6ATMA1 vs IAUCN04S7N009ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок ISC046N13NM6ATMA1 от Infineon и IAUCN04S7N009ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | ISC046N13NM6ATMA1 | IAUCN04S7N009ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,08 | $1,55 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 6 | — |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 135 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 17 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 142 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 211 W | — |
| Корпус / Типоразмер | PG-TDSON-8 | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Диапазон рабочих температур | -55 C to +175 C | — |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | MOSFET (Metal Oxide) |
| Gate Drive (recommended) | 10 V (typical) | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Series | — | OptiMOS 7 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D) | — | 175 A |
| R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V | — | 0.96 mΩ |
| Gate Drive Voltage (V_GS) | — | 10 V |
| Корпус | — | PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) |
| Рабочая температура | — | -55C to +175C |
| Qualification | — | AEC-Q101 (Automotive) |
| Уровень MSL | — | 1 |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Supplier Device Package | — | PG-TDSON-8-34 |