ISC046N13NM6ATMA1 vs IAUCN04S7N009ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de ISC046N13NM6ATMA1 par Infineon et IAUCN04S7N009ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | ISC046N13NM6ATMA1 | IAUCN04S7N009ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,08 | $1,55 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 6 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 135 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 17 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 142 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 211 W | — |
| Boîtier / Format | PG-TDSON-8 | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +175 C | — |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | MOSFET (Metal Oxide) |
| Gate Drive (recommended) | 10 V (typical) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Series | — | OptiMOS 7 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D) | — | 175 A |
| R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V | — | 0.96 mΩ |
| Gate Drive Voltage (V_GS) | — | 10 V |
| Boîtier | — | PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) |
| Température de fonctionnement | — | -55C to +175C |
| Qualification | — | AEC-Q101 (Automotive) |
| Niveau MSL | — | 1 |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Supplier Device Package | — | PG-TDSON-8-34 |