ISC046N13NM6ATMA1 vs IAUCN04S7N009ATMA1 比較

詳細な並列比較: ISC046N13NM6ATMA1 メーカー: Infineon および IAUCN04S7N009ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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ISC046N13NM6ATMA1 ISC046N13NM6ATMA1 - 135V N-Ch MOSFET 142A | Infineon

ISC046N13NM6ATMA1 - 135V N-Ch MOSFET 142A | Infineon

ISC046N13NM6ATMA1 ✓ 生産中
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IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ ISC046N13NM6ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.08 $1.55
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 6 —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 135 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA 17 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 142 A —
Power Dissipation (PD) at TA 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC 211 W —
パッケージ / ケース PG-TDSON-8 —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -55 C to +175 C —
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Gate Drive (recommended) 10 V (typical) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel —
Series — OptiMOS 7
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) — 175 A
R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V — 0.96 mΩ
Gate Drive Voltage (V_GS) — 10 V
パッケージ — PG-TDSON-8-34 (Surface Mount)
動作温度 — -55C to +175C
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
MSLレベル — 1
Configuration — Single N-Channel
Supplier Device Package — PG-TDSON-8-34

データシート&リソース

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