K3KL5L50DM-BGCU vs K3KL3L30CM-BGCU Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K3KL5L50DM-BGCU от Samsung Electronics и K3KL3L30CM-BGCU от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K3KL5L50DM-BGCU K3KL5L50DM-BGCU - LPDDR5X 128Gb 8533Mbps DRAM | Samsung

K3KL5L50DM-BGCU - LPDDR5X 128Gb 8533Mbps DRAM | Samsung

K3KL5L50DM-BGCU ✓ Активен
Samsung Electronics
K3KL3L30CM-BGCU K3KL3L30CM-BGCU - 64Gb LPDDR5X DRAM 8533Mbps | Samsung

K3KL3L30CM-BGCU - 64Gb LPDDR5X DRAM 8533Mbps | Samsung

K3KL3L30CM-BGCU ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K3KL5L50DM-BGCU K3KL3L30CM-BGCU
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,00 $0,00
Тип памяти LPDDR5X SDRAM LPDDR5X SDRAM (Volatile DRAM)
Density 128 Gb (16 GB) —
Скорость передачи данных 8533 Mbps per pin 8533 Mbps
Организация памяти [DATA_NEEDED: organization (x)] —
Supply Voltage (VDD) [DATA_NEEDED: VDD voltage] —
Корпус [DATA_NEEDED: package ball count / FBGA code] FBGA-496 (BGCU)
Тип монтажа Surface Mount (BGA) Surface Mount
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Интерфейс LPDDR5X (JEDEC low-power DRAM interface) LPDDR5X (standard LPDDR ball interface)
Prefetch 16n (LPDDR5/5X architecture) —
Power Efficiency approx. 20% better than LPDDR5 (per Samsung LPDDR5X family page) Approx. 25% better than previous LPDDR5 generation (per Samsung)
Задержка CAS [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh scheme] —
Статус RoHS unknown [DATA_NEEDED: RoHS status]
Production Status In production (in stock at distributors) —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Размер памяти — 64 Gb (8 GB)
Memory Organization — x64
Technology — LPDDR5X (JEDEC LPDDR5X-class low-power DRAM)
Die Configuration — Stacked multi-die DRAM
Application Segment — AI devices and automotive
Speed Improvement — Up to 1.25x faster than previous generation (per Samsung)
Supply Voltage Class — [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ voltage]
Place of Origin (per distributor listing) — Johor, Malaysia

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену