K4A8G045WB-BCRC vs K4A8G165WB-BCRC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4A8G045WB-BCRC от Samsung Electronics и K4A8G165WB-BCRC от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC ✓ Активен
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCRC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4A8G045WB-BCRC K4A8G165WB-BCRC
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,95 $12,57
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (DRAM, volatile)
Density 8 Gb —
Организация памяти 2G x 4 —
Speed 2400 Mbps —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2 V —
Process Technology Samsung B-die —
Интерфейс CMOS, differential clock (CK/CK#) DDR4 (Double Data Rate, synchronous)
Refresh Cycles 8192 —
Maximum Supply Current 211.7 mA —
Рабочая температура 0 C to 85 C -40C to +95C
Корпус 78-ball FBGA (PBGA78) 96-ball FBGA (PBGA96)
Terminals 78 —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Key DDR4 Features Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset —
DLL Mode Timing specified for DLL-enabled operation —
Статус RoHS Compliant Compliant
Размер памяти — 8 Gb (1 GB)
Memory Organization — 512M x 16
Скорость передачи данных — 2400 Mbps (PC4-19200)
Напряжение питания — 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Technology — CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die
Ball Pitch — 0.8 mm
On-Die Termination — Yes (ODT with dynamic ODT)
ZQ Calibration — Yes
CRC / CA Parity — Yes (CRC function)
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Refresh — Auto-refresh and self-refresh

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену