K4A8G085WB-BIRC vs K4A8G085WB-BICR Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4A8G085WB-BIRC от Samsung Electronics и K4A8G085WB-BICR от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BIRC K4A8G085WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BIRC ✓ Активен
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K4A8G085WB-BIRC K4A8G085WB-BICR
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $6,56 $4,25
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Организация памяти 1G x 8 1G x 8
Скорость передачи данных 2400 Mbps 2400 Mbps
Напряжение питания 1.2 V 1.2 V (VDD/VDDQ)
Рабочая температура -40°C to 95°C —
Корпус 78-FBGA 78-ball FBGA
Number of Terminals 78 —
Refresh Cycles 8192 8192
Die Family B-die —
Задержка CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Burst Length 8, 16 —
Интерфейс SSTL-12 —
RoHS Compliant —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Number of Banks — 16
Число выводов — 78
Temperature Grade — Industrial (I-grade)
Диапазон рабочих температур — [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix]
Die / Process — Samsung 8Gb B-die DDR4
Speed Grade — DDR4-2400 (PC4-19200)
Статус RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Refresh Management — Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену