K4A8G085WC-BCPB vs K4A8G085WC-BCTD Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K4A8G085WC-BCPB от Samsung Electronics и K4A8G085WC-BCTD от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCPB K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCPB ✗ Снят с производства
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD ⚠ Последняя закупка

Сравнение характеристик

Параметр K4A8G085WC-BCPB K4A8G085WC-BCTD
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория DRAM Memory ICs
Статус жизненного цикла Снято с производства Последняя закупка
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,95 $50,85
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Организация памяти 1G x 8 1G x 8
Скорость передачи данных 2133 Mbps 2666 Mbps (PC4-2133)
Напряжение питания 1.2 V —
Рабочая температура 0 C to +85 C 0C to +95C
Корпус 78FBGA 78-ball FBGA (78FBGA)
Number of Terminals 78 —
Maximum Seated Height 1.2 mm —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Speed Grade DDR4-2133 —
Особенности Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] —
Задержка CAS [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Die Revision [DATA_NEEDED: die revision] —
Standard Package Quantity [DATA_NEEDED: standard package quantity] —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Ball Pitch — 0.8 mm
Standard Operating Temp Range — 0C to +85C
Burst Length — 8 (chop 4)
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic ODT — Yes
Data Mask — Yes
Тип интерфейса — Synchronous, parallel

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену